Semiconductor device defects

ข้อบกพร่องของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอ่าน 1 นาที

การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอน

CS1 maint: DOI inactive as of July 2025

การเคลื่อนที่ของ อิเล็กตรอน (Electromigration)คือการเคลื่อนที่ของวัสดุที่เกิดจากการเคลื่อนที่อย่างค่อยเป็นค่อยไปของไอออนในตัวนำเนื่องมาจาก การถ่ายโอน โมเมนตัมระหว่างอิเล็กตรอน...

อ่าน 1 นาที

ไส้หลอดกระแสไฟฟ้า

Electronics stubs

เส้นใยกระแสไฟฟ้าคือความไม่สม่ำเสมอใน การกระจาย ความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าในแนวด้านข้างของทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้า (นั่นคือ ตั้งฉากกับเวกเตอร์ ความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้า )

ความแออัดในปัจจุบันอ่าน 1 นาที

ความแออัดในปัจจุบัน

Semiconductor device defects

การกระจุกตัวของกระแสไฟฟ้า (หรือปรากฏการณ์การกระจุกตัวของกระแสไฟฟ้าหรือCCE ) คือการกระจายตัวของความหนาแน่นกระแสไฟฟ้า ที่ไม่สม่ำเสมอ ผ่านตัวนำหรือสารกึ่งตัวนำ...

รายการโหมดความล้มเหลวของ LEDอ่าน 1 นาที

รายการโหมดความล้มเหลวของ LED

All pages needing cleanup

สาเหตุที่LED (และเลเซอร์ไดโอด ) เสียหายบ่อยที่สุดคือ การค่อยๆ ลดความสว่างลงและประสิทธิภาพลดลง อย่างไรก็ตาม การเสียหายแบบฉับพลันก็อาจเกิดขึ้นได้เช่นกัน แม้ว่าจะเกิดขึ้นได้ยากก็ตาม..

ล็อคอ่าน 1 นาที

ล็อค

Integrated circuits

การ ลัดวงจร แบบ Latch-up คือ การลัดวงจรชนิดหนึ่งที่อาจเกิดขึ้นในวงจรรวม (IC) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง คือการสร้าง เส้นทาง ความต้านทาน ต่ำโดยไม่ได้ตั้งใจ ระหว่างรางจ่ายไฟของ วงจร

อ่าน 1 นาที

การเสื่อมสภาพของทรานซิสเตอร์

Semiconductor device defects

การเสื่อมสภาพของทรานซิสเตอร์ (บางครั้งเรียกว่าการเสื่อมสภาพของซิลิคอน ) คือกระบวนการที่ทรานซิสเตอร์ซิลิคอน เกิดข้อบกพร่องขึ้นเมื่อเวลาผ่านไปขณะใช้งาน...

การเสริมความทนทานต่อรังสีอ่าน 1 นาที

การเสริมความทนทานต่อรังสี

Avionics computers

การเสริมความแข็งแกร่งของรังสีคือกระบวนการทำให้ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์และวงจรทนต่อความเสียหายหรือการทำงานผิดปกติที่เกิดจากรังสีไอออนไนซ์ ระดับสูง ( รังสีอนุภาค และ...

ความเสียหายทางแสงร้ายแรงอ่าน 1 นาที

ความเสียหายทางแสงร้ายแรง

Laser science

ความเสียหายทางแสงอย่างรุนแรง ( Catastrophic Optical Damage หรือ COD ) หรือความเสียหายของกระจกสะท้อนแสงอย่างรุนแรง ( Catastrophic Optical Mirror Damage หรือ COMD )...