อะลูมิเนียมแกลเลียมไนไตรด์ ( AlGaN ) เป็น วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีช่องว่างพลังงานกว้างเป็นโลหะผสมของอะลูมิเนียมไนไตรด์และแกลเลียมไนไตรด์

ช่องว่างพลังงานของ Al _x Ga _1-x N สามารถปรับแต่งให้อยู่ในช่วงตั้งแต่ 3.4 eV (ช่องว่างพลังงานของ GaN) ถึง 6.2 eV (ช่องว่างพลังงานของ AlN) ขึ้นอยู่กับสัดส่วนโมลของ AlN ^{[ 1 ]}${\displaystyle x.}$

AlGaN ใช้ในการผลิตไดโอดเปล่งแสงที่ทำงานในช่วงสีน้ำเงินถึงอัลตราไวโอเลต ของสเปกตรัม ความยาวคลื่นการปล่อยแสงในช่วงอัลตราไวโอเลตไกล (ประมาณ 250 นาโนเมตร) ได้รับการบรรลุผลแล้ว โดยทีมวิจัยบางทีมรายงานการ ปล่อย แสงที่มีความยาวคลื่นสั้นถึง 222 นาโนเมตร^{[ 2 ]}และ 210 นาโนเมตร^{[ 3 ]}

นอกจากนี้ AlGaN ยังใช้ในเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ สีน้ำเงิน เครื่องตรวจจับ รังสี อัลตราไวโอเลตและทรานซิสเตอร์ความคล่องตัวสูงของอิเล็กตรอน AlGaN/GaN อีก ด้วย

AlGaN มักใช้ร่วมกับแกลเลียมไนไตรด์หรืออะลูมิเนียมไนไตรด์เพื่อสร้างเฮเทอโรจังก์ชัน

โดยทั่วไปแล้วชั้น AlGaN จะถูกปลูกบนแกลเลียมไนไตรด์บนแซฟไฟร์หรือพื้นผิว Si (111) และเกือบทุกครั้งจะมีชั้น GaN เพิ่มเติมด้วย

พิษวิทยาของ AlGaN ยังไม่ได้รับการตรวจสอบอย่างครบถ้วน ฝุ่น AlGaN เป็นสารระคายเคืองต่อผิวหนัง ดวงตา และปอด ด้านสิ่งแวดล้อม สุขภาพ และความปลอดภัยของแหล่งกำเนิดอะลูมิเนียมแกลเลียมไนไตรด์ (เช่นไตรเมทิลแกลเลียมและแอมโมเนีย ) และการศึกษาการตรวจสอบสุขอนามัยอุตสาหกรรมของ แหล่งกำเนิด MOVPE มาตรฐาน ได้รับการรายงานเมื่อเร็ว ๆ นี้ในบทวิจารณ์^{[ 4 ]}

• จุดควอนตัมแกลเลียมไนไตรด์และการเปล่งแสงยูวีลึก GaN ใน AlN