BSIM (Berkeley short-channel IGFET model) ^{[ 1 ]}หมายถึงตระกูลของ แบบจำลองทรานซิสเตอร์ MOSFETสำหรับการออกแบบวงจรรวม นอกจากนี้ยังหมายถึงกลุ่ม BSIM ที่ตั้งอยู่ในภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้าและวิทยาการคอมพิวเตอร์ (EECS) ที่มหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย เบิร์กลีย์ ซึ่งพัฒนาแบบจำลองเหล่านี้แบบจำลองทรานซิสเตอร์ ที่แม่นยำ มีความจำเป็นสำหรับการจำลองวงจรอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งจำเป็นสำหรับการออกแบบวงจรรวมเมื่ออุปกรณ์มีขนาดเล็ลงในแต่ละรุ่นของกระบวนการ (ดูกฎของมัวร์ ) จึงจำเป็นต้องมีแบบจำลองใหม่เพื่อสะท้อนพฤติกรรมของทรานซิสเตอร์ได้อย่างแม่นยำ

โปรแกรมจำลองอนาล็อกเชิงพาณิชย์และอุตสาหกรรม (เช่นSPICE ) ได้เพิ่มโมเดลอุปกรณ์อื่นๆ อีกมากมายเนื่องจากเทคโนโลยีมีความก้าวหน้าและโมเดลรุ่นก่อนๆ ไม่แม่นยำอีกต่อไป เพื่อพยายามสร้างมาตรฐานของโมเดลเหล่านี้เพื่อให้สามารถใช้ชุดพารามิเตอร์โมเดลในโปรแกรมจำลองต่างๆ ได้ จึงมีการจัดตั้งกลุ่มทำงานในอุตสาหกรรมขึ้นมา คือCompact Model Coalition ^{[ 2 ]}เพื่อเลือก บำรุงรักษา และส่งเสริมการใช้โมเดลมาตรฐาน โมเดล BSIM ซึ่งพัฒนาที่UC Berkeleyเป็นหนึ่งในมาตรฐานเหล่านี้ โมเดลอื่นๆ ที่ได้รับการสนับสนุนจากสภา ได้แก่PSP , HICUMและMEXTRAM เก็บถาวรเมื่อ 2014-12-28 ที่Wayback Machine

แบบจำลองทรานซิสเตอร์ที่พัฒนาและดูแลรักษาโดยมหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย เบิร์กลีย์มีดังนี้:

• BSIM-CMG (มัลติเกตทั่วไป) ^{[ 3 ]}
• BSIM-IMG (มัลติเกตอิสระ) ^{[ 4 ]}เป็นโมเดลเดียวที่เผยแพร่โดยไม่มีซอร์สโค้ด (ซึ่งคาดว่าจะเผยแพร่ในวันที่ 13 กรกฎาคม 2021)
• BSIM-SOI (ซิลิคอนบนฉนวน) ^{[ 5 ]}
• BSIM-BULK, ^{[ 6 ]}เดิมคือ BSIM6,
• BSIM4 ^{[ 7 ]}ใช้สำหรับโหนด 0.13 μm ถึง 20 nm
• BSIM3 ^{[ 8 ]}ซึ่งเป็นรุ่นก่อนหน้าของ BSIM4

เวอร์ชันดั้งเดิมของโมเดล BSIM เขียนด้วยภาษาโปรแกรม Cเวอร์ชันใหม่กว่าทั้งหมด ยกเว้น BSIM4 และ BSIM3 รองรับเฉพาะVerilog-A เท่านั้น ตัวอย่างเช่น เวอร์ชันสุดท้ายของ BSIM-SOI ที่รองรับภาษา Cคือเวอร์ชัน BSIM-SOIv4.4

• การจำลองวงจรไฟฟ้า
• เครื่องเทศ