โครงสร้างเฮเทอโรคู่ (Double Heterostructure) หรือบางครั้งเรียกว่า เฮเทอโรจัง ก์ชันคู่ (Double Heterojunction ) เกิดขึ้นเมื่อ วัสดุ เซมิคอนดักเตอร์ สองชนิดถูกปลูกในลักษณะ "แซนด์วิช" โดยใช้วัสดุชนิดหนึ่ง (เช่นAlGaAs ) สำหรับชั้นนอก (หรือ ชั้นหุ้ม ) และวัสดุอีกชนิดหนึ่ง ที่ มีช่องว่างพลังงาน แคบกว่า (เช่นGaAs ) สำหรับชั้นใน ในตัวอย่างนี้ มีรอยต่อ (หรือขอบเขต) ระหว่าง AlGaAs กับ GaAs สองแห่ง อยู่ที่แต่ละด้านของชั้นใน ต้องมีขอบเขตสองแห่งจึงจะถือว่าเป็นโครงสร้างเฮเทอโรคู่ หากมีวัสดุหุ้มเพียงด้านเดียว อุปกรณ์นั้นจะเป็นเพียงโครงสร้างเฮเทอโรแบบ ธรรมดา หรือแบบเดี่ยว

โครงสร้างเฮเทอโรคู่เป็นโครงสร้างที่มีประโยชน์มากใน อุปกรณ์ อิเล็กโทรออปติกและมีคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ที่น่าสนใจ หากชั้นคลุมชั้นหนึ่งถูกเจือด้วย pอีกชั้นหนึ่งถูกเจือด้วย n และวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีช่องว่างพลังงานเล็กกว่านั้นไม่ได้ถูกเจือ จะเกิด โครงสร้างแบบพินขึ้นเมื่อกระแสไฟฟ้าถูกส่งไปยังปลายของโครงสร้างแบบพินอิเล็กตรอนและโฮลจะถูกฉีดเข้าไปในโครงสร้างเฮเทอโร วัสดุที่มีช่องว่างพลังงานเล็กกว่าจะสร้างความไม่ต่อเนื่องของพลังงานที่ขอบเขต กักขังอิเล็กตรอนและโฮลไว้ในเซมิคอนดักเตอร์ที่มีช่องว่างพลังงานเล็กกว่า อิเล็กตรอนและโฮลจะรวมตัวกันในเซมิคอนดักเตอร์แบบอินทรินซิกและปล่อยโฟ ตอนออกมา หากความกว้างของบริเวณอินทรินซิกลดลงจนอยู่ในระดับความยาวคลื่นเดอ บรอยล์พลังงานในบริเวณอินทรินซิกจะไม่ต่อเนื่องอีกต่อไป แต่จะกลายเป็นแบบไม่ต่อเนื่อง^{[ 1 ]} (ที่จริงแล้ว พวกมันไม่ต่อเนื่อง แต่ระดับพลังงานอยู่ใกล้กันมาก ดังนั้นเราจึงคิดว่ามันต่อเนื่อง) ในสถานการณ์นี้ โครงสร้างเฮเทอโรคู่จะกลายเป็นบ่อควอนตัม