ในวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ปรากฏการณ์ Ground Bounceเกี่ยวข้องกับการสวิตช์ทรานซิสเตอร์ โดยที่ แรงดันเกตอาจดูเหมือนน้อยกว่า ศักย์กราวด์ ในบริเวณนั้น ทำให้การทำงานของเกตตรรกะไม่ เสถียร

ปรากฏการณ์ Ground bounce มักพบในวงจรVLSI ความหนาแน่นสูง ที่ไม่ได้ใช้มาตรการป้องกันที่เพียงพอในการต่อสายดินให้กับวงจรลอจิกเกต (หรือใช้ตัวเก็บ ประจุบายพาสที่มีค่าความต้านทานต่ำเพียงพอ ) ในปรากฏการณ์นี้ เมื่อเบสของทรานซิสเตอร์ NPN เปิดทำงาน กระแสไฟฟ้าจะไหลผ่าน วงจร อีมิเตอร์ - คอลเลคเตอร์ มากพอ ที่จะทำให้ซิลิคอนในบริเวณใกล้เคียงกับจุดเชื่อมต่ออีมิเตอร์-กราวด์ถูกดึงขึ้นสูงบางส่วน บางครั้งอาจสูงขึ้นหลายโวลต์ ทำให้กราวด์เฉพาะที่ที่รับรู้ได้ที่เกตมีค่าสูงกว่ากราวด์จริงอย่างมาก เมื่อเทียบกับกราวด์เฉพาะที่นี้ แรงดันที่เบสอาจติดลบ ทำให้ทรานซิสเตอร์ปิดการทำงาน เมื่อประจุส่วนเกินในบริเวณนั้นสลายไป ทรานซิสเตอร์ก็จะกลับมาทำงานอีกครั้ง อาจทำให้เกิดปรากฏการณ์ซ้ำได้ บางครั้งอาจมากถึงหกครั้ง

ปรากฏการณ์ Ground Bounce เป็นหนึ่งในสาเหตุหลักที่ทำให้เกต "ค้าง" หรือ "ไม่เสถียร " ในวงจรดิจิทัลสมัยใหม่ เนื่องจาก Ground Bounce ทำให้แรงดันอินพุตของฟลิปฟลอปอยู่ในระดับที่ไม่ใช่ทั้งหนึ่งหรือศูนย์ในเวลาของสัญญาณนาฬิกา หรือทำให้เกิดผลกระทบที่ไม่พึงประสงค์ในสัญญาณนาฬิกาเอง ปรากฏการณ์ แรงดันตก ที่คล้ายกัน อาจเกิดขึ้นที่ด้านคอลเลคเตอร์ เรียกว่าแรงดันตกด้านแหล่งจ่าย(หรือVCC sag ) ซึ่ง_{VCC ถูกดึงลงต่ำ อย่าง}ผิดปกติ โดยรวมแล้ว Ground Bounce เป็นปัญหาสำคัญในเทคโนโลยีระดับนาโนเมตรใน VLSI

ปรากฏการณ์ Ground bounce อาจเกิดขึ้นได้เมื่อแผงวงจรมีเส้นทางกราวด์ที่ออกแบบไม่ดี การต่อกราวด์หรือ VCC ที่ไม่เหมาะสม_อาจทำให้ระดับกราวด์มีความผันแปรเฉพาะจุดระหว่างส่วนประกอบต่างๆ ซึ่งมักพบเห็นได้บ่อยในแผงวงจรที่มีเส้นทางกราวด์และ VCC _อยู่บนพื้นผิวของแผงวงจร

อาจลดสัญญาณรบกวนกราวด์ได้โดยการวางตัวต้านทานขนาด 10 ถึง 30 โอห์มอนุกรมกับเอาต์พุตสวิตช์แต่ละตัวเพื่อจำกัดการไหลของกระแสในระหว่างการสวิตช์เกต^{[ 1 ]}

• ภาวะไม่เสถียรในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
• ความไม่แน่นอนที่ไร้ขอบเขต
• ก้นของบูริแดน