ไดโอดแลมบ์ดาเป็นวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่รวมทรานซิสเตอร์สนามแม่เหล็กแบบเกตที่เชื่อมต่อกันเป็นคู่เสริมกัน เข้าไว้ในอุปกรณ์สองขั้วที่แสดงพื้นที่ความต้านทานเชิงลบ ที่แตกต่างกัน คล้ายกับไดโอดอุโมงค์คำว่า "แลมบ์ดา" หมายถึงรูปร่างของกราฟความสัมพันธ์ระหว่างแรง ดันและกระแส ( V - I curve) ของอุปกรณ์ ซึ่งมีลักษณะคล้ายอักษรกรีก Λ (แลมบ์ดา )

ไดโอดแลมบ์ดาทำงานที่แรงดันไฟฟ้าสูงกว่าไดโอดอุโมงค์ ในขณะที่ไดโอดอุโมงค์ทั่วไป^{[ 1 ]}อาจแสดงความต้านทานเชิงอนุพันธ์ลบประมาณระหว่าง 70 mV และ 350 mV บริเวณนี้เกิดขึ้นประมาณระหว่าง 1.5 V และ 6 V ในไดโอดแลมบ์ดาเนื่องจากแรงดันไฟฟ้าพินช์ออฟที่สูงกว่าของอุปกรณ์ JFET ทั่วไป ดังนั้นไดโอดแลมบ์ดาจึงไม่สามารถใช้แทนไดโอดอุโมงค์ได้โดยตรง

นอกจากนี้ ในไดโอดอุโมงค์ กระแสจะลดลงต่ำสุดประมาณ 20% ของกระแสสูงสุดก่อนที่จะเพิ่มขึ้นอีกครั้งเมื่อแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น ในขณะที่กระแสของไดโอดแลมบ์ดาจะเข้าใกล้ศูนย์เมื่อแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้น ก่อนที่จะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วอีกครั้งที่แรงดันไฟฟ้าสูงพอที่จะทำให้เกิดการพังทลายแบบซีเนอร์ ระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ใน FET

นอกจากนี้ยังสามารถสร้างอุปกรณ์ที่คล้ายกับไดโอดแลมบ์ดาได้โดยการรวมJFET แบบ n-channel เข้ากับ ทรานซิสเตอร์ไบโพลา ร์PNP ^{[ 2 ]} ตัวแปรแบบปรับได้ที่แนะนำแต่สร้างยากกว่าเล็กน้อยใช้ออปโตคัปเลอร์แบบ PNP และสามารถปรับแต่งได้โดยใช้ไดโอด IR ซึ่งมีข้อดีคือคุณสมบัติสามารถปรับแต่งได้อย่างละเอียดด้วยไดรเวอร์ไบแอสแบบง่ายและใช้สำหรับการใช้งานวิทยุที่มีความไวสูง บางครั้งอาจใช้ทรานซิสเตอร์ PNP แบบเปิดที่ดัดแปลงแล้วพร้อม LED IR แทนได้

เช่นเดียวกับไดโอดอุโมงค์ คุณสมบัติความต้านทานเชิงลบของไดโอดแลมบ์ดาทำให้สามารถนำไปประยุกต์ใช้ในวงจรออสซิลเลเตอร์^{[ 3 ]}และแอมพลิฟายเออร์ได้อย่างเป็นธรรมชาติ นอกจากนี้ ยังมีการอธิบายวงจร ไบสเตเบิลเช่น เซลล์หน่วยความจำ^{[ 4 ]}

• กราฟ, รูดอล์ฟ เอฟ. (1999). พจนานุกรมอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ ฉบับที่ 7บอสตัน [ฯลฯ]: สำนักพิมพ์นิวเนส หน้า 411 ISBN 0-7506-9866-7.

บทความเกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์นี้ยังไม่สมบูรณ์คุณสามารถช่วยวิกิพีเดียได้โดยการเพิ่มข้อมูลที่ขาดหายไป

• วี
• ที
• อี