NOMFETเป็นทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าหน่วยความจำอินทรีย์อนุภาคนาโนทรานซิสเตอร์นี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อเลียนแบบคุณสมบัติของไซแนปส์ของมนุษย์ที่เรียกว่าพลาสติซิตี้หรือการเปลี่ยนแปลงของความเร็วและความแรงของสัญญาณที่ส่งจากเซลล์ประสาทหนึ่งไปยังอีกเซลล์ประสาทหนึ่ง อุปกรณ์นี้ใช้อนุภาคนาโนทองคำ ขนาดประมาณ 5–20 นาโนเมตรที่ยึดกับ เพนทาซีนเพื่อจำลองการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าและความเร็วภายในสัญญาณ อุปกรณ์นี้ใช้การดักจับ/ปลดปล่อยประจุในอาร์เรย์ของอนุภาคนาโนทองคำ (NPs) ที่ส่วนต่อประสาน SiO2 _/เพนทาซีนเพื่อออกแบบ SYNAPSTOR (ทรานซิสเตอร์ไซแนปส์) ที่เลียนแบบพลาสติซิตี้แบบไดนามิกของไซแนปส์ทางชีวภาพ อุปกรณ์นี้ ( คล้าย เมมริส เตอร์ ) เลียนแบบพลาสติซิตี้ระยะสั้น (STP) ^{[ 1 ]} และพลาสติซิตี้ความสัมพันธ์เชิงเวลา (STDP, พลาสติซิตี้ที่ขึ้นอยู่กับเวลาของสไปค์) ^{[ 2 ]}ซึ่งเป็น "ฟังก์ชัน" สองอย่างที่เป็นพื้นฐานของกระบวนการเรียนรู้ มีการพัฒนารูปแบบขนาดกะทัดรัด^{[ 3 ]}และใช้ไซแนปสเตอร์อินทรีย์เหล่านี้เพื่อสาธิตหน่วยความจำแบบเชื่อมโยง ซึ่งสามารถฝึกฝนให้แสดงการตอบสนองแบบพาฟลอฟได้^{[ 4 ]}รายงานล่าสุดแสดงให้เห็นว่าทรานซิสเตอร์ไซแนปส์อินทรีย์ (ไซแนปสเตอร์) เหล่านี้ทำงานที่ 1 โวลต์และมีเวลาตอบสนองแบบยืดหยุ่นโดยทั่วไปอยู่ในช่วง 100-200 มิลลิวินาที^{[ 5 ]}อุปกรณ์นี้ยังทำงานโดยสัมผัสกับอิเล็กโทรไลต์ (EGOS: ไซแนปสเตอร์อินทรีย์แบบเกตด้วยอิเล็กโทรไลต์) และสามารถเชื่อมต่อกับเซลล์ประสาททางชีวภาพได้^{[ 6 ]}

การสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดใหม่นี้เมื่อเร็ว ๆ นี้ทำให้มีโอกาสที่จะสร้างกระบวนการรับรู้ของมนุษย์บางประเภทได้ดียิ่งขึ้น เช่นการจดจำและการประมวลผลภาพ^{[ 7 ]} เมื่อใช้ NOMFET ในวงจรนิวโรโม ฟิก จะสามารถจำลองการทำงานของความยืดหยุ่นที่ก่อนหน้านี้ต้องใช้กลุ่มทรานซิสเตอร์หลายตัวเพื่อจำลอง และด้วยเหตุนี้จึงสามารถลดขนาดของโปรเซสเซอร์ที่พยายามใช้ประโยชน์จากข้อได้เปรียบในการคำนวณของการทำงานแบบไซแนปส์เทียมได้ (ดูกฎของมัวร์ )

• ปัญญาประดิษฐ์
• ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าอินทรีย์